横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的制造方法

摘要

公开了一种制造横向双扩散金属氧化物半导体晶体管的方法。所述方法包括：在半导体层的表面形成高压栅极电介质；在半导体层上形成至少一部分与高压栅极电介质相邻的薄栅极电介质；在薄栅极电介质和高压栅极电介质上形成栅极导体；采用第一掩模图案化栅极导体，限定栅极导体的第一侧壁，其中，第一侧壁位于薄栅极电介质上方；采用第二掩模图案化栅极导体，限定栅极导体的第二侧壁，其中，第二侧壁的至少一部分位于高压栅极电介质上方；形成第一掺杂类型的源区和漏区，其中，该方法还包括经由第一掩模来注入掺杂剂，形成第二掺杂类型的体区，第二掺杂类型与第一掺杂类型相反。该方法简化工艺步骤并提高最终器件的可靠性。