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具有利用氮气吹扫的顶部通气口的快速循环腔室

摘要

提供了一种用于在工作在不同压力下的单元之间转移半导体基板的腔室。该腔室包括:底座,其限定一出口,该出口使得可以去除腔室内的大气以产生真空;基板支撑部件,用于支撑腔室内的半导体基板;顶部,其具有一入口,该入口被配置得允许向腔室导入气体以驱除基板支撑部件上方所限定的区域中的湿气;以及多个侧壁,其从底座延伸至顶部,该多个侧壁包括用于半导体基板进、出腔室的多个通道端口。还提供了一种用于对压力变化接口内的半导体基板区域上方的环境进行调节的方法。

著录项

  • 公开/公告号CN1269183C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-08-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 拉姆研究公司;

    申请/专利号CN02815473.8

  • 发明设计人 海尔伦·I·哈尔希;大卫·E·杰可;

    申请日2002-07-30

  • 分类号H01L21/00(20060101);C23C14/56(20060101);

  • 代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;

  • 代理人李辉

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:47

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-08-09

    授权

    授权

  • 2004-12-29

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-10-20

    公开

    公开

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