用于使用聚焦离子束进行半导体器件的平面剥层的前体

摘要

一种用于使用聚焦离子束系统改进半导体器件的平面剥层的方法和系统。该方法包括：限定有待清除的目标区域，该目标区域包括半导体器件的铜和电介质混合层的至少一部分；将前驱气体向该目标区域引导；以及在存在该前驱气体的情况下，将聚焦离子束向该目标区域引导，由此将第一铜和电介质混合层的至少一部分清除并在被铣削的目标区域中产生一个均匀光滑的面。该前驱气体使得该聚焦离子束以与该电介质基本上相同的速率对该铜进行铣削。在优选实施例中，该前驱气体包括硝乙酸甲酯。在替代性实施例中，该前驱气体是乙酸甲酯、乙酸乙酯、硝乙酸乙酯、乙酸丙酯、硝乙酸丙酯、乙酸硝基乙酯、甲氧基乙酸甲酯、或甲氧基乙酰氯。