机译:使用有意错配的均匀缓冲层在半导体器件结构中进行应变补偿
Univ Connecticut, Elect & Comp Engn Dept, Storrs, CT 06269 USA;
Univ Connecticut, Elect & Comp Engn Dept, Storrs, CT 06269 USA;
relaxation; in-plane strain; strain compensation; uniform heterostructures; InGaAs; GaAs;
机译:晶格不匹配的异质外延器件的S级缓冲层
机译:晶格不匹配的异质外延器件的S级缓冲层
机译:与GaN一维晶格匹配的非极性和半极性AlInN,用于实现松弛的缓冲层,用于基于光学的GaN器件中的应变工程
机译:使用均匀或分级缓冲层的变质半导体异质结构的位错补偿
机译:用于砷化铟和磷化铟器件的高电阻率和晶格失配的铟砷磷和铝铟砷磷缓冲层的金属有机气相外延生长和电学表征。
机译:通过更改顶部电极材料来改善三层CeO2 / Ti / CeO2电阻开关器件的耐久性和周期间一致性
机译:使用CD和Znte缓冲层与光伏器件中应用的ZnSNP2的结构和性能