用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料

摘要

本发明公开了属于磁学量传感器材料的一种用PLD法制备具有室温正巨磁阻效应的镍碳薄膜材料。是在Si(100)基片上，用不同比例的Ni-C复合冷压靶材，在3-5Pa氩气条件下，利用PLD方法在一定温度下沉积得Ni-C薄膜。在同样制备条件下，不同靶材成分，其薄膜厚度不同，薄膜厚度约为：30-120nm。该材料在温度为300K、外加磁场为1T的条件下的正巨磁阻效应可高达13%，此后，随外加磁场的增加而增加。Ni-C材料价格低廉，性能优越，是一种很好的磁传感器材料。