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公开/公告号CN105912064B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-27
原文格式PDF
申请/专利权人 华中科技大学;
申请/专利号CN201610259342.4
发明设计人 郑朝霞;刘政林;玉冬;刘谦;袁意辉;曾小刚;吴旭峰;
申请日2016-04-25
分类号
代理机构华中科技大学专利中心;
代理人廖盈春
地址 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
入库时间 2022-08-23 10:07:38
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-27
授权
2016-09-28
实质审查的生效 IPC(主分类):G05F1/565 申请日:20160425
实质审查的生效
2016-08-31
公开
机译: 带隙基准源具有低失调电压和高PSRR
机译: 带隙参考电压源,具有高电源抑制比
机译: 适用于生产测试的低输出噪声,高电源抑制和高精度可调节带隙基准电压源的方法和装置
机译:具有热滞后保护的高精度高PSRR带隙参考
机译:使用单节点方法设计高电源抑制比互补金属氧化物半导体带隙电压参考
机译:具有高电源纹波抑制比的电流模式带隙基准的分析和设计
机译:弯曲补偿,高电源抑制CMOS带隙参考MEMS微加速度计
机译:磷化镓是高效多结太阳能光伏中的高带隙材料。
机译:高剂量注入的ZnTe:O合金中中间带对亚带隙光响应的显着增强
机译:适用于便携式应用的低功耗高电源抑制比带隙基准
机译:用于高效聚合物太阳能电池的高结晶和低带隙供体聚合物。