一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种Si衬底GaAs单结太阳能电池结构及其制备方法，包括依次从下到上设置的Si衬底、GaAs低温缓冲层、GaAs高温缓冲层、AlGaAs背场层、GaAs基层、GaAs发射层、AlGaAs窗口层、GaAs电极接触层。本发明通过对Si衬底500‑850℃高温热处理，并且在500‑750℃生长GaAs低温缓冲层，在600‑750℃生长GaAs高温缓冲层，解决了Si衬底与GaAs材料的晶格匹配问题，通过高低温切换实现了GaAs材料在Si衬底上进行生长的可能性，为继续生长新材料提供新鲜界面，为Si衬底生长GaAs太阳能电池提供了更为广泛和高效的方法和途径。