一种CMOS电路与体硅微机械系统集成的方法

摘要

本发明公开了一种将单片CMOS与体硅微机械系统集成的方法，其技术方案为：1)形成隔离槽：采用深槽刻蚀，SiO₂和多晶硅填充，实现MEMS结构和CMOS电路的绝缘；2)完成隔离槽后进行标准CMOS电路的加工；3)用SiO₂和Si₃N₄作掩膜，从背面腐蚀硅，直至暴露出隔离槽底部的SiO₂，完成MEMS硅结构层的厚度控制；4)完成CMOS电路金属化和MEMS结构掩膜：MEMS结构区用铝作掩膜，CMOS电路区用厚光刻胶作掩膜，用DRIE释放硅结构。用本发明方法不仅获得了较大的质量块，而且用本发明较高的深宽比制作出的结构电容，同时实现了体硅微机械与CMOS电路的集成，显著提高MEMS传感器的精度和稳定性，具有前沿性和重要实用价值。