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提高光刻机可用焦深的方法

摘要

本发明揭示了一种提高光刻机可用焦深的方法。本方法通过配置仿真工艺环境,确定符合误差要求的正面曝光剂量范围以及背面曝光剂量范围,然后对所述正面曝光剂量和背面曝光剂量的范围进行优化,获得正面曝光剂量和背面曝光剂量的最佳组合。采用本发明的提高光刻机可用焦深的方法可以有效增大可用焦深,达到提高基底上图形均匀性,减少色差的效果。

著录项

  • 公开/公告号CN105319859B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-02

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海微电子装备(集团)股份有限公司;

    申请/专利号CN201410367371.3

  • 发明设计人 王健;白昂力;

    申请日2014-07-29

  • 分类号

  • 代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人屈蘅

  • 地址 201203 上海市浦东新区张东路1525号

  • 入库时间 2022-08-23 10:07:15

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-02

    授权

    授权

  • 2017-08-15

    著录事项变更 IPC(主分类):G03F7/20 变更前: 变更后: 申请日:20140729

    著录事项变更

  • 2016-03-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/20 申请日:20140729

    实质审查的生效

  • 2016-02-10

    公开

    公开

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