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混合光学和电子束光刻方法

摘要

本发明公开了一种混合光学和电子束光刻方法,包括:在衬底上形成结构材料层和第一硬掩模层;进行第一光刻/刻蚀,形成第一硬掩模图形;在第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层;进行第二光刻/刻蚀,形成第二硬掩模图形;采用各向异性刻蚀技术,刻蚀结构材料层,形成所需要的光学及电子束线条。依照本发明的混合光学和电子束光刻方法,将同一层次图形按线条大小进行分开处理,大的线条采用光学曝光,而精细图形采用电子束曝光,可以大幅缩减曝光时间,提高产能。

著录项

  • 公开/公告号CN103681251B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院微电子研究所;

    申请/专利号CN201210353673.6

  • 发明设计人 孟令款;李春龙;贺晓彬;

    申请日2012-09-20

  • 分类号H01L21/027(20060101);H01L21/033(20060101);

  • 代理机构11345 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人陈红

  • 地址 100029 北京市朝阳区北土城西路3#

  • 入库时间 2022-08-23 10:07:13

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-09

    授权

    授权

  • 2015-07-01

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/027 申请日:20120920

    实质审查的生效

  • 2014-03-26

    公开

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