公开/公告号CN1279594C
专利类型发明授权
公开/公告日2006-10-11
原文格式PDF
申请/专利权人 统宝光电股份有限公司;
申请/专利号CN03155806.2
申请日2003-08-22
分类号H01L21/336(20060101);H01L21/00(20060101);H01L29/786(20060101);G02F1/1345(20060101);
代理机构11127 北京三友知识产权代理有限公司;
代理人王一斌
地址 台湾省新竹科学工业园区
入库时间 2022-08-23 08:58:48
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-17
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/336 授权公告日:20061011 终止日期:20160822 申请日:20030822
专利权的终止
2006-10-11
授权
授权
2006-10-11
授权
授权
2004-06-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-06-16
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-04-07
公开
公开
2004-04-07
公开
公开
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机译: 具有超微晶层的机械零件通过超微晶层形成方法和用于制造机械零件的机械零件制造方法形成超微晶层形成方法,以及纳米晶体层形成方法,由纳米晶层形成的具有纳米晶层的机械零件用于制造机械零件的成型方法和机械零件制造方法
机译: 超微晶层形成方法,通过超微晶层形成方法产生的具有超微晶层的机械零件,以及用于制造机械零件的机械零件制造方法以及纳米晶层形成方法,该机械零件包括:通过纳米晶体层形成方法生产的纳米晶体层,以及用于制造机械零件的机械部件制造方法
机译: 在晶化的多晶硅层上提供具有透明衬底的保护层的方法,形成其有源层的方法以及使用相同的方法制造多晶硅TFT的方法