具有硅金属浮动栅极的分裂栅非易失性闪存单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种非易失性存储器单元，所述非易失性存储器单元包括第一导电类型的衬底，所述衬底具有间隔开的第二导电类型的第一区域和第二区域，在所述第一区域和所述第二区域之间形成沟道区。选择栅极与所述沟道区的第一部分绝缘并且设置在所述第一部分上面，所述第一部分与所述第一区域相邻。浮动栅极与所述沟道区的第二部分绝缘并且设置在所述第二部分上面，所述第二部分与所述第二区域相邻。金属材料与所浮动栅极接触地形成。控制栅极与所述浮动栅极绝缘并且设置在其上面。擦除栅极包括第一部分和第二部分，所述第一部分与所述第二区域绝缘并且设置在其上面，而且与所述浮动栅极绝缘并且与其横向相邻设置；所述第二部分与所述控制栅极绝缘并且与其横向相邻，而且部分地在所述浮动栅极上面延伸并且与其纵向重叠。