用于制造具有反射电极的光电子半导体芯片的方法

摘要

本发明提出一种用于制造光电子半导体芯片(1)的方法，所述方法包括下述步骤：提供半导体层序列(10)；将金属的镜层(21)设置在半导体层序列(10)的上侧上；将镜保护层(3)至少设置在镜层的露出的侧面(21c)上；部分地移除半导体层序列(10)，其中镜层(21)具有朝向所述半导体层序列(10)的开口(23)，所述开口沿着横向方向由镜保护层(3)围边，至少部分地移除半导体层序列(10)在镜层(21)的开口(23)的区域中进行，以自调节的方式将镜保护层(3)设置在镜层(21)的露出的侧面(21c)上。