具有金属层于漂移区之上的半导体元件

摘要

本发明公开了一种具有金属层于漂移区之上的半导体元件，该半导体元件包括衬底、绝缘层、栅极层以及金属层。绝缘层配置于衬底之上且覆盖漂移区，绝缘层包括第一边缘与第二边缘，第二边缘相对于第一边缘。栅极层覆盖绝缘层的第一边缘。金属层包括金属部分，金属部分连接于栅极层且重叠于绝缘层的第一边缘。金属部分包括第一边缘，金属部分的第一边缘位于比金属部分的相对的第二边缘更接近于绝缘层的中央部分之处。沿通道长度方向由金属部分的第一边缘至绝缘层的第一边缘的距离是a。由绝缘层的第一边缘至绝缘层的第二边缘的距离是L。a/L比值是等于或高于0.46。