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具有带有至少一个高阻挡层的多量子阱的光电子半导体芯片

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提出一种光电子半导体芯片(10)，包括：p型半导体区域(4)；n型半导体区域(6)；设置在p型半导体区域(4)和n型半导体区域(6)之间的有源层(5)，所述有源层构成为多量子阱结构(7)，其中多量子阱结构(7)具有多个交替的量子阱层(71)和阻挡层(72，73)，其中与距n型半导体区域(6)相比更靠近p型半导体区域(4)设置的至少一个阻挡层是高阻挡层(73)，所述高阻挡层具有电子带隙(E

著录项

公开/公告号CN105493299B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-06

原文格式PDF
申请/专利权人欧司朗光电半导体有限公司;
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申请/专利号CN201480042009.7
发明设计人伊瓦尔·通林;费利克斯·恩斯特;
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申请日2014-07-22
分类号
代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;
代理人丁永凡
地址德国雷根斯堡
入库时间 2022-08-23 10:06:57

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-02-06

授权

授权
2016-05-11

实质审查的生效 IPC(主分类):H01L33/06 申请日:20140722

实质审查的生效
2016-04-13

公开

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1. 具有带有至少一个高阻挡层的多量子阱的光电子半导体芯片 [P] . 中国专利： CN105493299A . 2016-04-13
2. Optoelectronic semiconductor chip comprising a multi-quantum well comprising at least one high barrier layer [P] . 美国专利： US10121936B2 . 2018-11-06

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3. Optoelectronic semiconductor chip with multiple quantum wells having at least one high barrier layer [P] . 日本专利： JP6113363B2 . 2017-04-12

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4. Optoelectronic semiconductor chip with multiple quantum wells having at least one high barrier layer [P] . 日本专利： JP2016527721A . 2016-09-08

机译：具有多个量子阱的光电子半导体芯片，所述量子阱具有至少一个高势垒层