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具有非负偏置的开关器件

摘要

公开了具有非负偏置的开关器件。实施例提供了包括一个或多个场效应晶体管(FET)和偏置电路的开关器件。一个或多个FET可在关断状态与接通状态之间转变以利于发送信号的切换。一个或多个FET可包括漏极端、源极端、栅极端和本体。偏置电路可对漏极端和源极端进行偏置以使其在接通状态下达到第一直流电压而在关断状态下达到第二直流电压。第一直流电压和第二直流电压可以是非负的。偏置电路可进一步被配置为对栅极端进行偏置,以使其在关断状态下达到第一直流电压而在接通状态下达到第二直流电压。

著录项

  • 公开/公告号CN103595381B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 Qorvo 美国公司;

    申请/专利号CN201310359186.5

  • 发明设计人 杨晓敏;小詹姆斯·P·富里诺;

    申请日2013-08-16

  • 分类号

  • 代理机构北京集佳知识产权代理有限公司;

  • 代理人朱胜

  • 地址 美国北卡罗来纳州

  • 入库时间 2022-08-23 10:06:55

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-23

    授权

    授权

  • 2017-01-18

    著录事项变更 IPC(主分类):H03K17/56 变更前: 变更后: 申请日:20130816

    著录事项变更

  • 2015-09-09

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03K17/56 申请日:20130816

    实质审查的生效

  • 2014-02-19

    公开

    公开

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