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一种N2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法

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摘要

一种N

1. 一种N2处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN105304468B . 2018.01.19
2. 一种H₂处理的非晶IGZO透明氧化物薄膜及其制备方法 [P] . 中国专利： CN105185708A . 2015-12-23
3. IGZO amorphous oxide thin film manufacturing method and field effect transistor manufacturing method using the same [P] . 日本专利： JP5560064B2 . 2014-07-23

机译： IGZO非晶氧化物薄膜的制造方法及使用该方法的场效应晶体管的制造方法
4. Method for producing transparent amorphous layer of indium gallium zinc oxide semiconductor (IGZO) with developed surface [P] . PL226625B1 . 2017-08-31

机译：具有显影表面的铟镓锌氧化物半导体（IGZO）的透明非晶层的制造方法
5. Method for producing transparent amorphous layer of indium gallium zinc oxide semiconductor (IGZO) with developed surface [P] . PL409748A1 . 2016-04-11

机译：具有显影表面的铟镓锌氧化物半导体（IGZO）的透明非晶层的制造方法