可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管

摘要

本发明公开了一种可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管，涉及二极管技术领域。所述二极管包括位于衬底上的第一金属电极组件、第二金属电极组件、第一二极管组件和第二二极管组件，所述二极管通过将一端的金属电极组件分成两个小的分电极组件，可以在两个小的分电极组件上引入直流馈电，增加直流偏置，可选择偏置使二极管工作在变容管状态或变阻管状态，工作在容性状态，可以获得较好的倍频效率，工作在阻性状态，可以获得较大的工作带宽。