法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2011-12-07
未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 27/14 授权公告日:20060920 终止日期:20100929 申请日:19980929
专利权的终止
2006-09-20
授权
授权
2004-11-10
实质审查的生效
实质审查的生效
2004-09-08
公开
公开
机译: MOS晶体管,制造相同MOS晶体管的方法,使用相同MOS晶体管的CMOS型半导体器件以及使用相同CMOS型半导体器件的半导体器件
机译: P型MOS晶体管的制造方法,具有该P型MOS晶体管的CMOS型半导体装置的制造方法以及使用该制造方法制造的CMOS型半导体装置
机译: 制造P型MOS晶体管的方法,制造具有P型MOS晶体管的CMOS型半导体装置的方法以及使用该制造方法制造的CMOS型半导体装置