机译:使用n型SiC MOS电容器的负栅极偏置下SiC MOSFET阈值电压偏移的评估方法
Toshiba Co Ltd, Corp Res & Dev Ctr, Kawasaki, Kanagawa 2128582, Japan;
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机译:通过快速在线接通方法精确确定在4H-SiC MOSFET中的负栅极偏置应力期间的阈值电压偏移
机译:长期预测负偏压下SiC MOSFET阈值电压漂移的两成分模型
机译:各种栅极偏置应力条件下SiC MOS器件快速阈值电压漂移的准确评估
机译:确定正负栅极偏置后SiC MOSFET的瞬态阈值电压滞后
机译:中电压SiC-MOSFET启用的中电压DC应用的功率转换器的设计与控制
机译:负栅偏置SiC MOSFET的辐射响应
机译:用非弛豫方法精确表征4H-siC mOsFET的阈值电压不稳定性