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公开/公告号CN104115226B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-02-06
原文格式PDF
申请/专利权人 英特尔公司;
申请/专利号CN201180076440.X
发明设计人 A.谢菲尔;R.萨拉斯瓦特;
申请日2011-12-23
分类号G11C5/02(20060101);G11C11/4074(20060101);H01L23/48(20060101);
代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;
代理人徐予红;汤春龙
地址 美国加利福尼亚州
入库时间 2022-08-23 10:06:45
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-02-06
授权
2014-11-26
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C5/02 申请日:20111223
实质审查的生效
2014-10-22
公开
机译: 堆叠内存架构中的单独微通道电压域
机译:域II中电压传感器的向外稳定,但域I中没有,从而加速了电压门控钠通道的失活。
机译:域II中的电压传感器的外向稳定,但不是域I速度旋转电压门控钠通道的旋转。
机译:电压门控钾通道中电压感应域和孔域之间的耦合
机译:3D堆叠磁性RAM(MRAM)作为通用存储器替代品的电路和微体系结构评估
机译:电压门控钾离子通道中电压感应域的精细尺度结构/功能分析
机译:L型电压门控的Ca2 +通道微域内的Ca2 +响应胰高血糖素样肽-1激活MIN6细胞中的ERK的证据。
机译:三维堆叠磁Ram(mRam)作为通用存储器替换的电路和微体系结构评估
机译:具有电压存储器的半导体多通道数模转换器。