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堆叠存储器体系结构中的单独微通道电压域

摘要

本文涉及堆叠存储器体系结构中的单独微通道电压域。存储器装置的实施例包括含有一个或更多个耦合的存储器管芯的存储器栈和与存储器栈耦合的逻辑芯片,其中,存储器栈的第一存储器管芯包括多个微通道,逻辑芯片包括存储器控制器。每个微通道包括单独的电压域,并且为多个微通道的每个微通道控制电压电平。

著录项

  • 公开/公告号CN104115226B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-02-06

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 英特尔公司;

    申请/专利号CN201180076440.X

  • 发明设计人 A.谢菲尔;R.萨拉斯瓦特;

    申请日2011-12-23

  • 分类号G11C5/02(20060101);G11C11/4074(20060101);H01L23/48(20060101);

  • 代理机构72001 中国专利代理(香港)有限公司;

  • 代理人徐予红;汤春龙

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:06:45

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-02-06

    授权

    授权

  • 2014-11-26

    实质审查的生效 IPC(主分类):G11C5/02 申请日:20111223

    实质审查的生效

  • 2014-10-22

    公开

    公开

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