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用于具有受限的写入承受能力的存储器的集合内耗损均衡的方法和设备

摘要

本发明描述用于延长具有受限的写入承受能力的存储器的可用寿命的有效技术。用于耗损均衡高速缓冲存储器的技术解决致使大量写入高速缓冲存储行比所述高速缓冲存储器中的其它行较快失效的高速缓冲存储行上的不平衡写入业务量。针对到高速缓冲存储器阵列的每一写入操作,递增计数器。从所述高速缓冲存储器收回由致使所述计数器满足阈值的当前写入操作所影响的行而非将数据写入到所述受影响行。可取决于操作程序作出对所述阈值的动态调整。归因于所述计数器满足所述阈值,停止对当前替代策略指标的更新。

著录项

  • 公开/公告号CN104981785B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-23

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 高通股份有限公司;

    申请/专利号CN201480007156.0

  • 发明设计人 董翔宇;

    申请日2014-02-18

  • 分类号

  • 代理机构北京律盟知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人宋献涛

  • 地址 美国加利福尼亚州

  • 入库时间 2022-08-23 10:06:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2020-02-11

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):G06F12/0895 授权公告日:20180123 终止日期:20190218 申请日:20140218

    专利权的终止

  • 2018-01-23

    授权

    授权

  • 2015-11-18

    实质审查的生效 IPC(主分类):G06F12/08 申请日:20140218

    实质审查的生效

  • 2015-10-14

    公开

    公开

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