机译:具有阈值电压抵消写入方法的具有c轴对齐的a-b平面锚定晶体In-Ga-Zn氧化物FET的16级单元存储器
Semicond Energy Lab Co Ltd, Atsugi, Kanagawa 2430036, Japan;
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机译:使用c轴取向晶体In-Ga-Zn氧化物的背沟道蚀刻薄膜晶体管
机译:新型像素电路,用于使用晶体氧化物半导体FET通过背栅偏置电压控制阈值电压
机译:新的像素电路,可使用晶体氧化物半导体FET通过背栅偏置电压控制阈值电压
机译:16.9具有V
机译:用于可重构RF开关和非易失性存储器的相变材料的结晶动力学和阈值电压的研究。
机译:掺杂氧化石墨烯薄片的热致向列液晶的阈值电压降低
机译:$ {C} $ {C} $ -AXIS对齐的晶体IN-ZN氧化物FET,栅极长度为21nm,适用于存储器应用
机译:多晶硅栅极对具有薄栅氧化层的亚100nm mOsFET中随机掺杂诱导阈值电压波动的影响