首页> 中国专利> 一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线场发射阴极

一种Au纳米颗粒修饰SiC纳米线场发射阴极

摘要

本发明公开的Au纳米颗粒修饰SiC纳米线场发射阴极,包括基底以及分布于基底上的电极,其特征在于:所述电极中至少部分的材料为纳米线,所述纳米线为在纳米线上形成有Au纳米颗粒的,所述Au纳米颗粒的尺寸为1‑10nm。本发明阴极具有极其良好的场发射能力,且开启电池低,性能高效,应用范围广,同时制备工艺简单,操作方便,与现有技术相比较有较低的能耗。

著录项

  • 公开/公告号CN105374652B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-09

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 宁波工程学院;

    申请/专利号CN201510752329.8

  • 发明设计人 杨为佑;陈强;陈善亮;

    申请日2015-11-06

  • 分类号

  • 代理机构宁波市鄞州盛飞专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人张向飞

  • 地址 315000 浙江省宁波市海曙区翠柏路89号

  • 入库时间 2022-08-23 10:06:22

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-09

    授权

    授权

  • 2016-03-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01J1/304 申请日:20151106

    实质审查的生效

  • 2016-03-02

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号