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公开/公告号CN104701203B
专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-09
原文格式PDF
申请/专利权人 国际商业机器公司;
申请/专利号CN201410680163.9
发明设计人 T·L·卡恩;J·M·沃尔什;
申请日2014-11-24
分类号H01L21/66(20060101);
代理机构11038 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;
代理人边海梅
地址 美国纽约
入库时间 2022-08-23 10:05:59
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-09
授权
2015-07-08
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/66 申请日:20141124
实质审查的生效
2015-06-10
公开
机译: 用于三维(3D)半导体器件的原子探针层析成像样品制备
机译: 三维(3D)半导体器件的原子探针层析成像样品制备
机译:通过原子探针层析成像进行3D现场特定样品制备和3D器件(FinFET)分析
机译:原子探针层析成像技术对65 nm节点的实际金属氧化物半导体器件进行三维掺杂表征
机译:用于半导体器件结构3D表征的定量电子全息层析成像
机译:用于FinFET器件中3D掺杂物分析的原子探针层析成像
机译:用于砷化镓/砷化镓铝异质结器件分析的三维半导体器件仿真器。
机译:基于完美匹配层和光谱元素方法的3D量子传输解算器用于半导体纳米器件的仿真
机译:用于封装有机电致发光器件的低温原子层沉积制备氧化铝薄膜的方法
机译:IDa3D:电离层数据同化三维层析成像处理器。