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一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器

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本发明提供一种基于自偏置共源共栅结构的跨导放大器，包括PMOS输入管M1、M2、M3和M4构成的自偏置共源共栅输入级结构，NMOS管M5、M6、M7和M8构成的自偏置共源共栅第一级负载结构，NMOS管M9和PMOS管M10构成的第二级共源放大器结构，NMOS管M11、M12和PMOS管M13构成的偏置电路结构，放大器补偿电容C

著录项

公开/公告号CN105720936B

专利类型发明专利
公开/公告日2018-01-09

原文格式PDF
申请/专利权人中国电子科技集团公司第二十四研究所;
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申请/专利号CN201610040317.7
发明设计人徐代果;胡刚毅;李儒章;王健安;陈光炳;王育新;刘涛;刘璐;邓民明;石寒夫;王旭;
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申请日2016-01-21
分类号
代理机构北京一格知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人滑春生
地址 400060 重庆市南岸区南坪花园路14号
入库时间 2022-08-23 10:05:44

法律信息

法律状态公告日

法律状态信息

法律状态
2018-01-09

授权

授权
2016-07-27

实质审查的生效 IPC(主分类):H03F3/45 申请日:20160121

实质审查的生效
2016-06-29

公开

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