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李寿辉; 孙玲玲; 文进才;
杭州电子科技大学;
复合式金属氧化物半导体; 共源共栅; 低噪声放大器; 线性化; 3阶输入互调截点; 3阶互调失真;
机译:使用折叠式PMOS IMD吸收器的共源共栅CMOS低噪声放大器的后线性化
机译:具有线性抑制功能的后线性化技术,可实现高IIP3和17 GHz CMOS低噪声放大器的图像抑制比
机译:一个2.4 / 5.2 / 5.8 GHz三频共栅共源共栅CMOS低噪声放大器
机译:适用于毫米波应用的40nm CMOS低功耗,稳压共源共栅,低噪声放大器
机译:45 nm CMOS技术中全集成低噪声放大器(LNA)的设计,故障建模和测试,用于芯片间无线互连
机译:使用曲率补偿振荡器的线性化时域CMOS智能温度传感器
机译:0.18μm线性化CMOS低噪声放大器的比较研究
机译:采用45nm绝缘硅互补金属氧化物半导体(sOI CmOs)的94GHz温度补偿低噪声放大器。
机译:稳压共源共栅电路和包括该共源共栅电路的CMOS模拟电路
机译:利用电荷泵的生物传感器,一种生物传感器装置,一种生物传感器装置的制造方法以及一种生物材料检测方法,能够使用CMOS工艺技术提供具有高再现性的纳米间隙的FET结构。
机译:CMOS输出电路中共源共栅晶体管的瞬态过压保护
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