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化学计量介电薄膜的高速反应溅射

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摘要

本发明提供一种用于监测并控制反应溅射沉积的方法和装置。该方法和装置尤其可用于使用对金属靶进行溅射的大功率磁控管的化学计量介电化合物(例如，金属氧化物、金属氮化物、金属氮氧化物等)在各种基底上的高速沉积，所述溅射包括使用较短的靶(阴极)电压脉冲(通常40μs至200μs)且具有高达数kWcm

1. 化学计量介电薄膜的高速反应溅射 [P] . 中国专利： CN105264107B . 2018.01.09
2. 形成介电薄膜的组合物、形成介电薄膜的方法及通过所述方法形成的介电薄膜 [P] . 中国专利： CN103177797B . 2017.10.10
3. High-rate reactive sputtering of dielectric stoichiometric films [P] . 美国专利： US9637814B2 . 2017-05-02

机译：介电化学计量膜的高速率反应溅射
4. High-rate reactive sputtering of dielectric stoichiometric films [P] . 欧洲知识产权局专利： EP2770083A1 . 2014-08-27

机译：介电化学计量膜的高速率反应溅射
5. Fast reactive sputtering of dielectric stoichiometric thin films [P] . 日本专利： JP6328150B2 . 2018-05-23

机译：介电化学计量薄膜的快速反应溅射