氧气含量对脉冲反应溅射ZrO2薄膜介电性能的影响

摘要

ZrO2薄膜是最早受到关注的无机EL绝缘薄膜之一.采用脉冲反应溅射法及O2含量为9-80%范围内制备了厚度为280-450nm的ZrO2薄膜,用MIM结构研究了薄膜的介电性能.结果是,ZrO2薄膜的击穿场强、反映介电损耗的参数△Vy、品质因子随着O2/(Ar+O2)比的增大而增加,漏电流密度则呈相反趋势,介电常数在26-40之间.还制备了Al2O3(70 nm)/ZrO2(～170 nm)复合薄膜,并与ZrO2薄膜的介电性能作了比较.在ZnS:Mn和BaAl2S4:Eu TFEL器件的上介质Al2O3/Ta2O5之间引入80nm ZrO2薄膜,器件的阈值电压和耐压增加,而L50明显减小.