法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2018-01-05
授权
授权
2014-12-03
实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/11 申请日:20131106
实质审查的生效
2014-10-29
公开
公开
机译: 形成能够形成具有优异分辨率的光致抗蚀剂图案的光致抗蚀剂下层膜的组合物,使用相同的图案形成方法以及包括该图案的半导体集成电路装置
机译: 用于制造相同化合物的组合物和方法,用于形成的光学组分的组合物,用于光刻的膜形成组合物,抗蚀剂组合物,用于形成抗蚀剂图案的方法,用于制造辐射图案的组合物,用于制造膜的胶片,用于制造薄膜的方法,用于胶片的方法形成下层膜,用于光刻的下层膜的制造方法,抗蚀剂图案形成方法,电路图案形成方法和精制方法
机译: 成膜材料,用于光刻的成膜组合物,光学部件形成材料,抗蚀剂组合物,抗蚀剂图案形成方法,用于抗蚀剂的永久膜,辐射敏感性组合物,非晶膜的制造方法,用于光刻的下层膜形成材料,用于光刻的下层成膜组合物,用于光刻的下层膜的制造方法和电路图案形成方法