首页> 中国专利> 抗蚀剂下层组合物、图案形成方法以及包括该图案的半导体集成电路装置

抗蚀剂下层组合物、图案形成方法以及包括该图案的半导体集成电路装置

摘要

本发明公开了抗蚀剂下层组合物、图案形成方法以及包括该图案的半导体集成电路装置。该抗蚀剂下层组合物包括包含由以下化学式1表示的部分的化合物和溶剂。在上述化学式1中,A

著录项

  • 公开/公告号CN104122754B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2018-01-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 第一毛织株式会社;

    申请/专利号CN201310546101.4

  • 发明设计人 权孝英;金民兼;李俊昊;田桓承;

    申请日2013-11-06

  • 分类号

  • 代理机构北京康信知识产权代理有限责任公司;

  • 代理人余刚

  • 地址 韩国庆尚北道

  • 入库时间 2022-08-23 10:05:37

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2018-01-05

    授权

    授权

  • 2014-12-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):G03F7/11 申请日:20131106

    实质审查的生效

  • 2014-10-29

    公开

    公开

相似文献

  • 专利
  • 中文文献
  • 外文文献
获取专利

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号