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一种石墨烯衬底上ZnO分级纳米阵列及其制备方法及应用

摘要

本发明公开一种石墨烯衬底上ZnO分级纳米阵列及其制备方法及应用,包括石墨烯纳米片衬底以及石墨烯纳米片衬底上的分级ZnO纳米阵列。所述石墨烯纳米片衬底上的分级ZnO纳米阵列为石墨烯纳米片衬底上无催化CVD生长的分级ZnO纳米阵列。本发明还公开了上述分级ZnO纳米阵列的制备方法及应用。与现有技术相比,本发明具有无需沉积金属催化剂和沉积其他形核层的优点,且制备的ZnO纳米阵列可以转移至至柔性衬底以及高导热衬底上,有利于制备高效、柔性、高性能ZnO基器件。

著录项

  • 公开/公告号CN104894640B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 天津理工大学;

    申请/专利号CN201510245224.3

  • 发明设计人 杨慧;李岚;

    申请日2015-05-14

  • 分类号

  • 代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司;

  • 代理人刘书元

  • 地址 300384 天津市西青区宾水西道391号

  • 入库时间 2022-08-23 10:05:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-19

    授权

    授权

  • 2015-10-07

    实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/18 申请日:20150514

    实质审查的生效

  • 2015-09-09

    公开

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