退出
我的积分:
中文文献批量获取
外文文献批量获取
公开/公告号CN104894640B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-12-19
原文格式PDF
申请/专利权人 天津理工大学;
申请/专利号CN201510245224.3
发明设计人 杨慧;李岚;
申请日2015-05-14
分类号
代理机构天津佳盟知识产权代理有限公司;
代理人刘书元
地址 300384 天津市西青区宾水西道391号
入库时间 2022-08-23 10:05:34
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-19
授权
2015-10-07
实质审查的生效 IPC(主分类):C30B25/18 申请日:20150514
实质审查的生效
2015-09-09
公开
机译: 在硅衬底上形成用于紫外激光的Zno纳米阵列和Zno纳米壁的方法
机译: 在硅衬底上形成用于紫外激光的ZnO纳米阵列和ZnO纳米壁的方法
机译: 在铁或铁相关膜上垂直于其衬底表面的ZnO纳米线阵列的制造方法
机译:铝掺杂Zno种子层上Zno纳米线阵列的可控水热合成和通过衬底表面改性的Zno Nandwires阵列的图案化
机译:与平头纳米棒相比,硅衬底上的ZnO纳米棒阵列的受控尖端形状的电化学生长和纳米金字塔阵列增强的光致发光发射
机译:石墨烯和其他衬底上常温条件下的结晶ZnO纳米片的合成
机译:异质纳米材料阵列在任意衬底上的可编程集成以及在气体传感中的应用。
机译:柔性和非柔性衬底上单晶ZnO纳米棒阵列的形态和结构表征
机译:在激光产生的ZnO衬底上通过纳米球光刻(NsL)控制ZnO纳米线阵列
机译:用于高清晰度电视应用的声学电荷传输成像器:多层Gaas / ZnO衬底上的低压saW放大器