法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-28
授权
授权
2015-11-04
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/34 申请日:20150514
实质审查的生效
2015-09-30
公开
公开
机译: 一种制备于硅片上的阳极氧化铝膜上的碳纳米管场发射体阵列的制备方法
机译: 3 NiCo2S4 / NiOH2-3维导电碳电极上3D分层介孔NiCo2S4 / NiOH2核壳纳米片阵列的制备方法及其在高性能超级电容器中的应用
机译: 3 NiCo2S4 / NiOH2-3维导电碳电极上3D分层介孔NiCo2S4 / NiOH2核壳纳米片阵列的制备方法及其在高性能超级电容器中的应用