机译:通过在Sio_2纳米棒阵列图案蓝宝石衬底上Gan的纳米尺度外延横向过度生长,提高Uv /蓝光发光二极管的效率
Department of Photonics and Institute of Electro-Optical Engineering, National Chiao-Tung University, Hsinchu 300, Taiwan, ROC;
a3. metalorganic chemical vapor deposition; a3. nanoscaled epitaxial lateral overgrowth; b1. gan;
机译:SiO_2纳米棒阵列图案蓝宝石模板上基于GaN的发光二极管的纳米级外延横向过生长
机译:通过优化SiO_2纳米棒阵列深度图案化蓝宝石衬底来增强GaN基发光二极管的光输出
机译:使用具有厚SiO_2掩模的图案化蓝宝石衬底上的直接异质外延横向过度生长来制造GaN基发光二极管
机译:SiO_2纳米棒阵列构图蓝宝石衬底上GaN基发光二极管外延横向生长的MOCVD
机译:GaN基发光二极管上的光学功能结构,用于提高光提取效率和控制发射模式。
机译:蓝宝石衬底上具有反应性等离子体沉积AlN成核层的GaN基紫外发光二极管的效率提高
机译:用于提高GaN的发光二极管效率的新型图案化的蓝宝石基材