首页> 中国专利> 一种制备钙钛矿太阳能电池空穴传输层用钴氧化物薄膜的方法

一种制备钙钛矿太阳能电池空穴传输层用钴氧化物薄膜的方法

摘要

本发明涉及一种制备钙钛矿太阳能电池空穴传输层用钴氧化物薄膜的方法,包括:以金属钴作为第一靶材、以氩气和氧气作为溅射气体,采用直流磁控共溅射法在基底表面沉积钴氧化物薄膜;其中,施加于所述第一靶材上的直流电源的功率为 100~700 W 或者功率密度为1.3~8.9 W/cm

著录项

  • 公开/公告号CN106328821B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 中国科学院上海硅酸盐研究所;

    申请/专利号CN201610877389.7

  • 申请日2016-09-30

  • 分类号

  • 代理机构上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人郑优丽

  • 地址 200050 上海市长宁区定西路1295号

  • 入库时间 2022-08-23 10:05:33

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-15

    授权

    授权

  • 2017-03-08

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01L51/50 申请日:20160930

    实质审查的生效

  • 2017-01-11

    公开

    公开

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