用于形成窄垂直柱的方法及具有窄垂直柱的集成电路装置

摘要

在一些实施例中，一种集成电路包含填充形成于所述集成电路中的开口的窄垂直延伸柱。在一些实施例中，所述开口可含有用以形成相变存储器单元的相变材料。由所述柱占据的所述开口可使用在不同垂直层级上形成的例如间隔物的交叉牺牲材料线来界定。所述材料线可通过允许形成极细线的沉积工艺来形成。所述线的相交点处的所暴露材料经选择性地移除以形成所述开口，所述开口具有由所述线的宽度确定的尺寸。举例来说，所述开口可填充有相变材料。