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一种负阻式单端共栅CMOS低噪声放大器

摘要

本发明公开了一种负阻式共栅CMOS低噪声放大器,属于集成电路领域。该放大器为单端输入/输出结构,包括了输入级、负载级、缓冲输出级、负阻级。此外,第一电流镜、第二电流镜分别为晶体管M1、M4、M5、M6提供静态偏置电流。射频信号电压从输入级输入,转化为信号电流,在负载处转化为电压信号,经缓冲输出级输出信号。本发明可以在较宽的频带内显著提高LNA的增益,改善噪声性能。

著录项

  • 公开/公告号CN104883136B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-15

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 电子科技大学;

    申请/专利号CN201510221915.X

  • 发明设计人 郭本青;王耀;文光俊;徐里坚;

    申请日2015-05-05

  • 分类号

  • 代理机构电子科技大学专利中心;

  • 代理人李明光

  • 地址 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号

  • 入库时间 2022-08-23 10:04:34

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-15

    授权

    授权

  • 2015-09-30

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F1/26 申请日:20150505

    实质审查的生效

  • 2015-09-02

    公开

    公开

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