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IrDA中高增益CMOS共栅前置放大器

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摘要

提出了一种应用于IrDA的高增益CMOS共栅前置放大器.与传统的共源共栅结构不同,该电路采用宽摆幅共源共栅作负载以获得高增益.从理论上对电路的可行性进行了分析,采用CSMC 0.6μm CMOS工艺的仿真结果表明该电路具有110.3dBΩ的增益,105kHz的带宽,电路功耗仅为200μW.

著录项

来源
《微处理机》|2009年第3期|20-22,26|共4页
作者
陈伟平; 张亮; 刘晓为;
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作者单位

哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001;

哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001;

哈尔滨工业大学MEMS中心,哈尔滨,150001;

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原文格式 PDF
正文语种 chi
中图分类场效应型;
关键词
IrDA红外通讯; 互补金属氧化物半导体CMOS; 共栅; 前置放大器; 高增益;
入库时间 2023-07-25 18:37:53

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