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一种线性化共栅CMOS低噪声放大器电路

摘要

本发明公开了一种线性化共栅CMOS低噪声放大器电路,该电路为差分对称结构,包括了输入级(M1)、级联级(M2)、畸变消除级(M1a),射频差分信号分别从输入级输入,经放大后的差分输出信号分别从级联级输出,畸变消除级连接在级联级,为工作在弱反型区的PMOS晶体管。本发明的优点在于:可以显著提高LNA的线性度,并同时可以获得较高的增益,以及较低的噪声性能。

著录项

  • 公开/公告号CN104124924B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-04-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利号CN201410293725.4

  • 发明设计人 郭本青;安士全;

    申请日2014-06-25

  • 分类号

  • 代理机构合肥市浩智运专利代理事务所(普通合伙);

  • 代理人丁瑞瑞

  • 地址 230001 安徽省合肥市高新技术开发区香樟大道199号

  • 入库时间 2022-08-23 09:53:52

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-04-05

    授权

    授权

  • 2014-12-03

    实质审查的生效 IPC(主分类):H03F 1/26 申请日:20140625

    实质审查的生效

  • 2014-10-29

    公开

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