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聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜及其合成方法与应用

摘要

本发明提供了一种聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜,其按如下合成方法制备得到:在三电极电解池中,以3,4‑乙撑二氧噻吩单体、支持电解质、电解溶剂的混合溶液为电解液,以金电极、铂电极、氧化铟锡导电玻璃电极或氟掺杂氧化锡导电玻璃电极为工作电极,以金电极或铂电极为辅助电极,以银/氯化银电极为参比电极,于室温下采用循环伏安法或恒电位法进行聚合反应,得到沉积在工作电极上的聚(3,4‑乙撑二氧噻吩)纳米线薄膜,经后处理淋洗、干燥即得成品;本发明制备方法简便,反应条件温和,产物纯度高,制得的聚合物薄膜具有电致变色性能,可作为电致变色材料应用于电致变色器件中。

著录项

  • 公开/公告号CN105887126B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-12-05

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 浙江工业大学;

    申请/专利号CN201610251342.X

  • 发明设计人 张诚;刘幼幼;吕耀康;

    申请日2016-04-21

  • 分类号C25B3/00(20060101);

  • 代理机构33201 杭州天正专利事务所有限公司;

  • 代理人黄美娟;王兵

  • 地址 310014 浙江省杭州市下城区潮王路18号浙江工业大学科技处

  • 入库时间 2022-08-23 10:04:20

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-12-05

    授权

    授权

  • 2016-09-21

    实质审查的生效 IPC(主分类):C25B3/00 申请日:20160421

    实质审查的生效

  • 2016-08-24

    公开

    公开

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