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公开/公告号CN104603327B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-12-01
原文格式PDF
申请/专利权人 株式会社艾迪科;
申请/专利号CN201380043243.7
发明设计人 佐藤宏树;上山润二;
申请日2013-10-15
分类号
代理机构永新专利商标代理有限公司;
代理人白丽
地址 日本东京都
入库时间 2022-08-23 10:04:20
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-12-01
授权
2015-11-04
实质审查的生效 IPC(主分类):C23C16/40 申请日:20131015
实质审查的生效
2015-05-06
公开
机译: 含钼的薄膜的制造方法,形成薄膜的原料以及酰亚胺化的钼化合物
机译: 包含钼的薄膜的制备方法薄膜形成的起始材料和钼酰亚胺化合物
机译:基于溶液的非真空薄膜制备方法雾CVD制造钼二硫化物(MOS_2)层状薄膜
机译:使用磁控溅射和CVD系统在一起的钼二硫化薄膜从多相钼氧化物制造
机译:通过钼薄膜的后退火制备的氧化钼薄膜的结构,电学和光学性质
机译:通过脉冲激光沉积沉积二硫化钼二硫化钼/金属多层薄膜的结构和摩托的薄膜
机译:通过电沉积法为能量储存,催化和生物传感器应用的电沉积方法合理制备二硫化钼和金属掺杂钼二硫化薄膜
机译:n型二硫化钼(MoS2)薄膜的热电性质的简单测量方法
机译:CIGS太阳能电池钼背接触的研究-钠掺杂钼薄膜和沉积在陶瓷基板上的钼薄膜的研究
机译:二硫化钼与各种材料结合形成固体润滑膜II-实际方法粘结薄膜的摩擦和耐久性特征