公开/公告号CN104517859B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-24
原文格式PDF
申请/专利权人 格罗方德半导体公司;国际商业机器公司;
申请/专利号CN201410524980.5
申请日2014-10-08
分类号H01L21/336(20060101);H01L21/28(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/423(20060101);
代理机构11314 北京戈程知识产权代理有限公司;
代理人程伟;王锦阳
地址 英属开曼群岛大开曼岛
入库时间 2022-08-23 10:03:58
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-24
授权
授权
2015-05-13
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L21/336 申请日:20141008
实质审查的生效
2015-04-15
公开
公开
机译: 在晶体管器件中制造替代金属栅极的方法,鳍式场效应晶体管器件及其制造方法
机译: 鳍式场有效存储单元晶体管-场效应晶体管-存储单元-鳍的制造方法和制造方法--存储单元场效应晶体管
机译: 鳍式场有效存储单元晶体管-场效应晶体管-存储单元-鳍的布置和制造方法--存储单元场效应晶体管