公开/公告号CN104795328B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-11-21
原文格式PDF
申请/专利权人 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司;
申请/专利号CN201410021566.2
发明设计人 马万里;
申请日2014-01-16
分类号H01L21/336(20060101);H01L29/78(20060101);H01L29/06(20060101);
代理机构11002 北京路浩知识产权代理有限公司;
代理人李迪
地址 100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦
入库时间 2022-08-23 10:03:21
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-11-21
授权
授权
2015-08-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20140116
实质审查的生效
2015-08-19
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/336 申请日:20140116
实质审查的生效
2015-07-22
公开
公开
2015-07-22
公开
公开
机译: 制造具有沟槽型隔离层的半导体器件的方法,该绝缘层能够通过利用绝缘层填充护沟来去除护城河中的栅状材料的残留层
机译: 一种槽型输送机,其被设计和构造成在输送方向TM上沿纵向延伸鱼,并且将鱼从槽型输送机输送到槽型输送机的下游输送装置的装置和方法
机译: 一种具有注入的漏-漂移区和厚的底部氧化物和沟-错组分的沟-错组分的制备方法。