用于非对称GaN晶体管和增强模式操作的自对准结构和方法

摘要

实施例包括高电子迁移率晶体管(HEMT)。在实施例中，栅极电极与源极和漏极半导体区间隔不同的距离，以提供高击穿电压和低导通状态电阻。在实施例中，自对准技术用于在沟槽中以及在中间芯体之上形成电介质衬垫，从而利用单掩模操作来独立地限定栅极长度、栅极‑源极长度以及栅极‑漏极长度。在实施例中，Ⅲ‑N HEMT包括用于阈值电压调谐和/或增强模式操作的氟掺杂的半导体势垒层。