半导体互连结构及其制作方法

摘要

本申请提供了一种半导体互连结构及其制作方法。该制作方法包括：在半导体器件层上形成第一介质层；在第一介质层上形成金属互连层，并对金属互连层进行化学机械抛光；以硼氮有机化合物为原料，利用等离子体化学气相沉积法在金属互连层上形成硼氮膜；在半导体器件层具有硼氮膜的表面上形成金属粘附层；在金属粘附层上形成扩散阻挡层；在扩散阻挡层上形成第二介质层。金属互连层与金属粘附层之间形成硼氮膜，硼氮膜中硼氮形成的