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有高传导载流子隧穿电流窗孔的光电子装置

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摘要

一种有高传导载流子隧穿电流窗孔的光电子装置。该装置包括位于中央的电流窗孔，该电流窗孔由以第一掺杂类型掺杂的III-IV-V半导体复合物制成的量子层形成并在侧面受所述III-IV-V半导体复合物的氧化物的限制，该光电子装置的特征还在于以所述第一掺杂类型掺杂的半导体材料形成的相邻层，其中，该III-IV-V半导体复合物包括Al

著录项

  • 公开/公告号CN1265521C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-07-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 U-L-M光子学有限公司;

    申请/专利号CN01820106.7

  • 发明设计人 卡尔·J·埃贝林;

    申请日2001-10-24

  • 分类号

  • 代理机构中国国际贸易促进委员会专利商标事务所;

  • 代理人蒋世迅

  • 地址 德国乌尔姆

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:36

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2006-07-19

    授权

    授权

  • 2004-05-12

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-03-03

    公开

    公开

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