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一种无铟透明电极及其制备方法

摘要

本发明属于纳米材料和光电子器件领域,具体地说,本发明涉及一种无铟透明电极,以磁控溅射镀膜仪为薄膜生长手段,通过衬底上初期生长缓冲籽晶层,以超薄高导电率金属膜为导电层,通过减反增透层的设计来达到对透明电极的光学和电学的调制,本发明同时提供了上述无铟透明电极的制备方法。本发明采用多层复合薄膜技术,以高电导率的超薄金属为导电层,通过多层薄膜的界面光学衍射和反射效应,结合合理选择增透膜的材料种类和厚度来提高薄膜的光学透过率,使薄膜的透光性与导电性更好的有机统一。

著录项

  • 公开/公告号CN104616726B

    专利类型发明专利

  • 公开/公告日2017-10-24

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 青岛墨烯产业科技有限公司;

    申请/专利号CN201410789348.3

  • 发明设计人 刘敬权;潘东晓;钱锋;

    申请日2014-12-17

  • 分类号

  • 代理机构北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙);

  • 代理人胡剑辉

  • 地址 266109 山东省青岛市高新区松园路17号C1楼403

  • 入库时间 2022-08-23 10:02:24

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2017-10-24

    授权

    授权

  • 2015-06-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 5/14 申请日:20141217

    实质审查的生效

  • 2015-06-10

    实质审查的生效 IPC(主分类):H01B 5/14 申请日:20141217

    实质审查的生效

  • 2015-05-13

    公开

    公开

  • 2015-05-13

    公开

    公开

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