法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-20
授权
授权
2015-05-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 39/22 申请日:20141127
实质审查的生效
2015-05-06
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 39/22 申请日:20141127
实质审查的生效
2015-04-08
公开
公开
2015-04-08
公开
公开
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器
机译: 用于产生太赫兹波的半导体晶体,包含该晶体的太赫兹波发生器,用于检测太赫兹波的半导体晶体以及包含该晶体的太赫兹波检测器
机译: 太赫兹波发生器以及使用该太赫兹波发生器产生大功率太赫兹波的方法