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高光电导增益氮化碳薄膜制备方法

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摘要

一种高光电导增益氮化碳薄膜制备方法属于半导体材料领域。本发明方法采用离子束溅射工艺制备氮化碳薄膜，高纯石墨作为靶材，高纯氮气作为考夫曼离子束源的工作气体，工作气压为2～6×10

著录项

  • 公开/公告号CN1265018C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-07-19

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 上海交通大学;

    申请/专利号CN03116464.1

  • 发明设计人 周之斌;崔容强;蔡燕晖;刘梅苍;

    申请日2003-04-17

  • 分类号

  • 代理机构上海交达专利事务所;

  • 代理人王锡麟

  • 地址 200030 上海市华山路1954号

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:35

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-06-23

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C23C 14/34 授权公告日:20060719 申请日:20030417

    专利权的终止

  • 2006-07-19

    授权

    授权

  • 2003-12-17

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2003-09-24

    公开

    公开

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