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高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法

摘要

本发明公开了一种应用于金属-氧化物-半导体场效应管(MOSFET)的高介电系数栅电介质材料氮铝酸铪薄膜及其制备方法。该发明的技术方案是,把氧化铪和氧化铝粉末经球磨混合后,再冷压成片,然后在高温下烧结而制得铝酸铪陶瓷靶;并利用脉冲激光沉积(PLD)技术,在生长室中充入高纯氮气,利用激光剥离铝酸铪陶瓷靶,产生激光等离子沉积在硅衬底上而制成非晶态的氮铝酸铪薄膜。该薄膜具有高的热力学稳定性,并有较高介电系数和低漏电流。该材料的性能指标已达到国际同类产品的先进水平,可满足功耗要求不高的半导体中场效应管的实际应用要求。

著录项

  • 公开/公告号CN1256756C

    专利类型发明授权

  • 公开/公告日2006-05-17

    原文格式PDF

  • 申请/专利权人 南京大学;

    申请/专利号CN03131920.3

  • 发明设计人 刘治国;朱俊;

    申请日2003-06-18

  • 分类号

  • 代理机构南京苏高专利事务所;

  • 代理人阙如生

  • 地址 210093 江苏省南京市汉口路22号

  • 入库时间 2022-08-23 08:58:32

法律信息

  • 法律状态公告日

    法律状态信息

    法律状态

  • 2010-09-01

    未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/283 授权公告日:20060517 申请日:20030618

    专利权的终止

  • 2006-05-17

    授权

    授权

  • 2004-04-07

    实质审查的生效

    实质审查的生效

  • 2004-01-28

    公开

    公开

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