公开/公告号CN104752168B
专利类型发明专利
公开/公告日2017-10-17
原文格式PDF
申请/专利权人 上海华力微电子有限公司;
申请/专利号CN201510196721.9
发明设计人 钟斌;
申请日2015-04-23
分类号
代理机构上海思微知识产权代理事务所(普通合伙);
代理人王宏婧
地址 201203 上海市浦东新区张江开发区高斯路568号
入库时间 2022-08-23 10:01:46
法律状态公告日
法律状态信息
法律状态
2017-10-17
授权
授权
2015-07-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20150423
实质审查的生效
2015-07-29
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20150423
实质审查的生效
2015-07-01
公开
公开
2015-07-01
公开
公开
机译: 薄膜例如鳍式场效应晶体管的形成方法的结晶硅薄膜,包括在硅锗块的侧壁上形成薄膜硅,并去除块的一部分以形成薄膜硅膜。
机译: 鳍式场效应晶体管的制造方法,鳍式场效应晶体管及包括鳍式场效应晶体管的器件
机译: 鳍式场效应晶体管存储池,鳍式场效应晶体管存储池布置以及制造鳍式场效应晶体管存储池的方法